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J-GLOBAL ID：200903020166932838

3族窒化物半導体発光素子

Inventor： 小池 正好 ,  浅見 慎也
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995209183
Publication number (International publication number)：1997036423
Application date： Jul. 24, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】3族窒化物化合物半導体を用いた紫外線発光素子の発光効率の向上。【構成】発光層5は、膜厚約100 ÅのIn0.07Ga0.92N から成る20層の井戸層52とこの井戸層よりも禁制帯幅の広いGaN から成る21層のバリア層51とを交互に多数積層させた多重量子井戸で構成され、各井戸層52にシリコンを濃度 5×1017/cm3に添加した。シリコンによるドナー準位が各井戸層52に形成されるため、発光に寄与する電子とホールとの再結合確率が増大するために、紫外線の発光強度が向上する。

Claim (excerpt)：

発光層に3族窒化物半導体を用いた発光素子において、前記発光層は、Alx1GaY1In1-X1-Y1N から成る井戸層とこの井戸層よりも禁制帯幅の広いAlx2GaY2In1-X2-Y2N から成るバリア層とを交互に積層させた量子井戸で構成され、前記各井戸層にドナー不純物又はアクセプタ不純物を添加したことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079045   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-225363   Applicant：株式会社東芝
• 化合物半導体超格子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-083755   Applicant：日本電信電話株式会社