絶縁膜の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996095159
Publication number (International publication number)：1997167764
Application date： Apr. 17, 1996
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】【課題】酸化シリコン膜上に有機材料よりなる絶縁膜(有機絶縁膜)をボイドを生じさせることなく、長期に亘って安定に接着可能とする絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】酸化シリコン膜上に有機絶縁膜を形成するに先んじて、酸化シリコン膜の表面を水酸基化し、該酸化シリコン膜の表面にシランカップリング剤を塗布する。有機絶縁膜としてフッ素系樹脂を用いる場合には、シランカップリング剤としてフッ素原子を含有する化合物を用いるとよい。

Claim (excerpt)：

酸化シリコン膜の表面にシランカップリング剤を保持させた後、有機材料よりなる絶縁膜を積層することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/312 N , H01L 21/316 P , H01L 21/90 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭52-106679
特開昭62-172081
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-347178 Applicant：松下電器産業株式会社

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