Pat
J-GLOBAL ID：200903020241790211

位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

Inventor：
稲 秀樹

About 稲 秀樹


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993107474
Publication number (International publication number)：1994302499
Application date： Apr. 09, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体素子製造用の投影露光装置においてレチクルとウエハとの相対的な位置合わせを高精度に行うことができる位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】 第1物体面上のパターンを位置検出装置により、該第1物体面と位置合わせを行った第2物体面上に投影光学系を介して投影する際、該第2物体はその面上に多層の透明膜を設けており、該位置検出装置は該第2物体面上の所定面の位置情報を検出しており、該位置情報に基づいて共焦点顕微鏡を利用して該第2物体を光軸方向に移動していること。
Claim (excerpt)：
第1物体面上のパターンを位置検出装置により、該第1物体面と位置合わせを行った第2物体面上に投影光学系を介して投影する際、該第2物体はその面上に多層の透明膜等を設けており、該位置検出装置は該第2物体面上の所定面の位置情報を検出しており、該位置情報に基づいて共焦点顕微鏡を利用して該第2物体を光軸方向に移動していることを特徴とする位置検出装置。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/22 ,  G03F 9/00
FI (2)：
H01L 21/30 311 M ,  H01L 21/30 311 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM