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J-GLOBAL ID：200903020259287444

半導体基材表面への微細構造形成方法およびその方法により微細構造を形成した半導体基材ならびにそれを用いたデバイス

Inventor： 松浦 孝 ,  室田 淳一 ,  宮本 光雄
Applicant, Patent owner： 松浦 孝 ,  森田化学工業株式会社
Agent (1)： 藤田 邦彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001051578
Publication number (International publication number)：2002252202
Application date： Feb. 27, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】電流を流さなくても、表面に微細構造(多孔質層)を形成することができる方法と、その方法により微細構造(多孔質層)を形成したウェハや半導体材料を提供する。【解決手段】ヘキサフルオロチタン水素酸など、フッ化水素酸に金属元素を溶解して得ることのできる水溶液を調整する。この中にウェハや半導体材料を浸漬し、微細構造(多孔質層)を形成する。

Claim (excerpt)：

フッ化水素酸に、金属元素または前記金属元素を含む合金または前記金属元素を含む化合物のいずれか少なくとも一つを溶解して得ることのできる液を含む溶液と、半導体材料基材とを接触させて形成することを特徴とする、半導体基材表面への微細構造形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 ,  G02B 6/12

FI (3)：

H01L 21/306 G ,  G02B 6/12 Z ,  G02B 6/12 N

F-Term (9)：

2H047KA04 ,  2H047KA05 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA04 ,  5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043DD08 ,  5F043GG10