磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿部美次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998127982
Publication number (International publication number)：1999031313
Application date： May. 11, 1998
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】不感帯域による電気抵抗値増大を招くことのないMR素子、薄膜磁気ヘッド、及び、それらの製造方法を提供する。【解決手段】端部受動領域2、3は中央能動領域の両側端に備えられ、それぞれは、磁区制御膜21、31と、導電膜22、32とを含む。磁区制御膜21、31は中央能動領域1の表面に部分的に重なる。導電膜22、32は磁区制御膜21、31の表面に付着され、磁区制御膜21、31及び中央能動領域1の表面に重なる。中央能動領域1の表面に対する導電膜22、32の重なり寸法W2は、中央能動領域1の表面に対する磁区制御膜21、32の重なり寸法W1よりも大きい。

Claim (excerpt)：

中央能動領域と、端部受動領域とを含む磁気抵抗効果素子であって、前記端部受動領域は、前記中央能動領域の両側端に備えられ、前記端部受動領域のそれぞれは、磁区制御膜と、導電膜とを含んでおり、前記磁区制御膜は、前記中央能動領域の表面に部分的に重なっており、前記導電膜は、前記磁区制御膜の表面に付着され、前記磁区制御膜及び前記中央能動領域の表面に重なっており、前記中央能動領域の表面に対する前記導電膜の重なり寸法は、前記中央能動領域の表面に対する前記磁区制御膜の重なり寸法よりも大きい。

IPC (4)：

G11B 5/39 , H01F 41/18 , H01L 43/08 , H01L 43/12

FI (4)：

G11B 5/39 , H01F 41/18 , H01L 43/08 , H01L 43/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-198177 Applicant：株式会社日立製作所

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