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J-GLOBAL ID：200903020327363626

薄膜半導体素子とその製造方法

Inventor： 糸賀 隆志 ,  藤原 正樹 ,  中田 行彦 ,  松尾 拓哉
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995190854
Publication number (International publication number)：1996097436
Application date： Jul. 26, 1995
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 高易動度の半導体膜を有する薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 コプラナ型TFTのマトリクス基板で、ガラス基板701上にスパッタ法でCrのライトシールド金属膜709を形成し、この膜を被ってガラス基板全面にSiO2の下地絶縁膜710を形成する。該下地絶縁膜上にRF-PCVD法で形成された真性シリコン領域702は導電率が5×10-10〜1×10-7S/cmの微結晶を含んでいる。真性Si領域702を覆ってゲート絶縁膜704を形成し、真性Si領域に対応するゲート絶縁膜の上にゲート電極705を形成し、ゲート電極をマスクとしてイオンドーピングしてn+型Si領域703を形成する。この領域に対応するゲート絶縁膜704に形成された貫通孔を介して、ソース・ドレイン金属膜707をそれぞれ形成した後全面を保護膜708で被覆する。スタガ型や逆スタガ型でも高易動度が得られる。

Claim (excerpt)：

導電率が5×10-10S/cm以上である微結晶相を含むi型シリコン膜を備えた薄膜半導体素子。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-251984   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭63-307431