半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995317883
Publication number (International publication number)：1997162121
Application date： Dec. 06, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】装置や工程を複雑化することなく結晶化し,レーザ消灯後の結晶の冷却速度を大きく低下させて結晶粒径を大きくし,且つ欠陥の発生を抑制する。【解決手段】基板上に形成された堆積層にレーザ光を照射する工程と,該基板よりも該堆積層の方が光の吸収係数が大きい光を該堆積層に照射し且つ該光の強度を漸増あるいは漸減させる工程とを有し,該堆積層を該基板より高い温度で加熱して該堆積層を結晶化する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された堆積層にレーザ光を照射する工程と,該基板よりも該堆積層の方が光の吸収係数が大きい光を該堆積層に照射し且つ該光の強度を漸増または漸減させる工程とを有し,該堆積層を該基板より高い温度で加熱して該堆積層を結晶化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-365316
薄膜状半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-186891 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
シリコン薄膜の結晶化方法および表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-250681 Applicant：松下電器産業株式会社

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