X線検出装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：石島茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000090992
Publication number (International publication number)：2001284628
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】X線検出装置の画像品質を向上させる。【解決手段】基板11上に配置された第1の電極膜12の表面に、三硫化二アンチモンを主成分とする電荷移動層13と、無定型セレンを主成分とするX線検出層14と、第2の電極膜15とをこの順序で形成し、第1の電極膜12側が正、第2の電極膜15側が負となる極性で電圧を印加し、第2の電極膜15表面にX線を照射すると、X線検出層14内で生成されたキャリアが第1、第2の電極膜に収集される。このX線検出装置31では、X線検出層14と電荷移動層13の界面に、X線検出層14をアノード側とし、電荷移動層13をカソード側とするダイオードが形成されているので、第1の電極膜12側からX線検出層14内に正孔が注入されず、画像が劣化することはない。

Claim (excerpt)：

絶縁性の基板と、前記基板上に形成された第1の電極膜と、前記第1の電極膜上に形成された電荷輸送層と、無定型セレンを主成分とし、前記電荷輸送層に接して形成されたX線検出層と、前記X線検出層上に形成された第2の電極膜とを有するX線検出装置であって、前記電荷輸送層は比抵抗の値が106Ω・cm以上1012Ω・cm以下である半絶縁性の抵抗体であり、かつ、前記電荷輸送層と前記X線検出層との間の接合が、前記電荷輸送層をカソードとし、前記X線検出層をアノードとするダイオード特性を有するX線検出装置。

F-Term (8)：

5F088AB01 , 5F088BA02 , 5F088BA04 , 5F088BB07 , 5F088FA04 , 5F088FA05 , 5F088GA02 , 5F088LA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

放射線2次元検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-213186 Applicant：株式会社島津製作所, 日本放送協会
放射線検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-358187 Applicant：新電元工業株式会社, 山梨電子工業株式会社
特開昭48-101090

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