Pat

J-GLOBAL ID：200903020430840556

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 藤本 博昭 ,  小賀 彰 ,  福田 敏行
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999234904
Publication number (International publication number)：2001060657
Application date： Aug. 23, 1999
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 2つのチップを積層して搭載する半導体装置において、搭載可能なチップサイズの組み合わせの適用範囲を広くする。【解決手段】 第1のLSIチップ2の表面に厚い絶縁性樹脂8を設け、第2のLSIチップ6の裏面を、第1のLSIチップ3を接続するボンディングワイヤ5の最上部より高い位置にしているため、第2のLSIチップ6が第1のLSIチップ3に接続されたボンディングワイヤ5と接触することがない。そのため、2つのLSIチップ3,6のサイズの制約を少なくし、2つのLSIチップ3,6のサイズの組み合わせの適用範囲が広くできる。

Claim (excerpt)：

第1の半導体チップの上部に第2の半導体チップが搭載された半導体装置であって、前記第1の半導体チップの裏面を支持体の素子載置部に固着し、前記第1の半導体チップの表面の電極と前記支持体の電極部とを金属細線で接続し、前記第2の半導体チップの裏面を前記金属細線の最上部より高い位置で前記第1の半導体チップの表面に向かい合うように配置して前記第2の半導体チップの裏面と前記第1の半導体チップの表面との間を絶縁性接着剤で固着し、前記第2の半導体チップの表面の電極と前記支持体の電極部とを電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/50

FI (2)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 23/50 T

F-Term (14)：

5F067AA01 ,  5F067AB03 ,  5F067BB08 ,  5F067BD05 ,  5F067BD10 ,  5F067BE05 ,  5F067BE06 ,  5F067CB08 ,  5F067CC03 ,  5F067CC08 ,  5F067DA05 ,  5F067DF07 ,  5F067DF09 ,  5F067DF17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ハイブリッドIC及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-246761   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-218198   Applicant：三洋電機株式会社