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J-GLOBAL ID:200903020436989560

水素分離膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 五十嵐 孝雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000242266
Publication number (International publication number):2002052326
Application date: Aug. 10, 2000
Publication date: Feb. 19, 2002
Summary:
【要約】【課題】 ピンホールを生じることなく薄膜化が可能な水素分離膜の製造方法を提供する。【解決手段】 多孔質基材の表層に水素分離金属の被膜を形成して水素分離膜を製造する。この際、多孔質基材の細孔中をパラフィンなどの充填材で充填した後、成膜を行う。充填材は、成膜後に加熱除去する。こうすることにより、多孔質基材の細孔中に水素分離金属が陥没、浸入することを抑制でき、ピンホールの発生を抑制しつつ、水素分離金属の薄膜化を図ることができる。
Claim (excerpt):
水素選択透過性を有する水素分離膜の製造方法であって、(a) 多孔質基材を形成する工程と、(b) 該多孔質基材の表面を水素分離金属で被覆して成膜する工程と、(c) 該工程(b)中に前記多孔質基材の細孔内に前記水素分離金属が浸入することを抑制する処理を、前記多孔質基材に施す工程とを備える水素分離膜の製造方法。
IPC (4):
B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/12 ,  C01B 3/56
FI (4):
B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/12 ,  C01B 3/56 Z
F-Term (13):
4D006GA41 ,  4D006MA03 ,  4D006MA09 ,  4D006MB04 ,  4D006MC02X ,  4D006NA31 ,  4D006NA62 ,  4D006PA02 ,  4D006PB66 ,  4G040FA06 ,  4G040FB09 ,  4G040FC01 ,  4G040FE01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
  • 特開昭63-105977
  • 特開平1-131004
  • 水素分離膜の製造法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-064638   Applicant:エヌオーケー株式会社
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