酸化物の結晶成長方法、セリウム酸化物、プロメチウム酸化物、酸化物積層構造、電界効果トランジスタの製造方法、電界効果トランジスタ、強誘電体不揮発性メモリの製造方法および強誘電体不揮発性メモリ

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000027362
Publication number (International publication number)：2000344599
Application date： Jan. 31, 2000
Publication date： Dec. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】酸化セリウムなどの希土類酸化物を(001)面方位のシリコン基板上に(001)面方位でエピタキシャル成長させ、エピタキシャルな希土類酸化物(001)/シリコン(001)構造を実現する。【解決手段】 (001)面方位のSi基板1の表面を処理して2×1、1×2の表面再構成によるダイマー構造とし、このSi基板1上に立方晶系または正方晶系の希土類酸化物、例えばCeO2 膜2を(001)面方位に分子線エピタキシー法などによりエピタキシャル成長させる。この成長の際には、Si基板1の表面に酸化性ガスの供給を開始してから少なくとも一種以上の希土類元素を含む原料の供給を行う。成長後に真空中で熱処理を行うこともある。

Claim (excerpt)：

(001)面方位のシリコン基板の表面を2×1、1×2の表面再構成によるダイマー構造とする工程と、上記シリコン基板上に立方晶系または正方晶系の希土類酸化物を(001)面方位にエピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とする酸化物の結晶成長方法。

IPC (10)：

C30B 29/16 , C30B 23/08 , H01L 21/203 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/78 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (8)：

C30B 29/16 , C30B 23/08 M , H01L 21/203 M , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 Q , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

酸化物積層構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-336158 Applicant：ソニー株式会社
半導体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-214728 Applicant：旭化成工業株式会社, 垂井康夫
誘電体膜の形成方法およびその形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-171352 Applicant：松下電器産業株式会社

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