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J-GLOBAL ID：200903057192711999

誘電体膜の形成方法およびその形成装置

Inventor：
西川 孝司

About 西川 孝司


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999171352
Publication number (International publication number)：2000332007
Application date： Jun. 17, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】Si基板上のCeO2 膜の成長においてSiO2 層の形成やダブルドメインの形成を抑制し、結晶性の高いCeO2 膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 K-セル中に金属Ceを収納し、薄膜形成に先立って加熱することにより高純度化しておく。Si基板17表面にCeのみを照射して、蒸発Ce原子18がSi基板17に衝突し、この拡散Ce原子19が基板上を二次元的に分散して固定Ce原子20となり、単原子層であるCe原子層21が形成される。次に、酸素のみを供給することによって、すでに形成されているCe原子層21の上に固定O原子24のみからなる単原子層のO原子層25が形成される。このようなMEEモードを利用して、Ce原子層21とO原子層25とを交互に積層することにより、Si基板の(001)面上に結晶性の高い(001)面を有するCeO2 層を形成することができる。
Claim (excerpt)：
金属Ceを原料に用い、エピタキシ法を用いて、Si基板上にCeO2 膜を形成することを特徴とする誘電体膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/316 ,  H01S 5/30 ,  H01L 21/203
FI (3)：
H01L 21/316 B ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18
F-Term (20)：
5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF20 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F073CB20 ,  5F073DA06 ,  5F073DA33 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB16 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL07 ,  5F103LL14 ,  5F103NN01 ,  5F103NN05 ,  5F103RR05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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