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J-GLOBAL ID：200903020480307751

導波路型半導体受光素子とその製造方法

Inventor： 田口 剣申 ,  竹内 剛
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996097896
Publication number (International publication number)：1997283786
Application date： Apr. 19, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 成長接合と単純メサ構造の導波路型半導体受光素子では、低暗電流特性、信頼性が劣化される。これを改善しようとしたメサ・プレーナ構造では作製歩留りが低くなる。【解決手段】 p導電型のInP基板1上に、p導電型半導体層2、n導電型光吸収層3、n導電型キャップ層4を積層し、これをストライプ状に形成してメサストライプを形成する。また、光吸収層3とキャップ層4の側壁をn型に反転した反転領域5を形成する。成長接合と単純メサ構造を採用しながらも、低暗電流特性、信頼性が改善され、かつ素子作製歩留りが改善される。

Claim (excerpt)：

第一導電型あるいは半絶縁性半導体基板上に、少なくとも、第一導電型半導体層、第二導電型あるいは高純度あるいは高抵抗半導体光吸収層、第二導電型半導体キャップ層を積層状態に有し、かつ少なくとも前記光吸収層とキャップ層でメサストライプが構成され、かつこのメサストライプにおける前記キャップ層及び光吸収層の側壁領域には第一導電型に反転された反転領域を有することを特徴とする導波路型半導体受光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体導波路型受光器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-045775   Applicant：日本電信電話株式会社