電界効果型半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田英彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995190621
Publication number (International publication number)：1996102538
Application date： Jul. 26, 1995
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【課題】電界効果型半導体装置のオン抵抗を低減すること。【解決手段】表面に凹部12aが形成された、ドレインとなる一導電型半導体領域11、12と、その一導電型半導体領域11、12の表面において、前記凹部12aから所定距離離れた領域に形成された他導電型半導体領域13と、該他導電型半導体領域13内に形成された、ソースとなる一導電型半導体領域14と、絶縁層15を介した状態で、前記他導電型半導体領域13の表面を皮膜し、前記凹部12aに達するゲート電極16とを有する電界効果型半導体装置。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体ソース領域と、一導電型半導体ドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域の間に設けられた他導電型半導体領域と、前記他導電型半導体領域に絶縁層を介して隣接するように設けられたゲート電極を備えた電界効果型半導体装置において、前記ゲート電極のうち前記ドレイン領域側部分が前記ゲート電極のうち前記ドレイン領域側部分以外の部分よりも導電率が低いことを特徴とする電界効果型半導体装置。

FI (3)：

H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 652 J , H01L 29/78 653 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭64-046980
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-011240 Applicant：セイコー電子工業株式会社
特開昭59-124161

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