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J-GLOBAL ID：200903056255749332
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
林 敬之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994011240
Publication number (International publication number)：1995221291
Application date： Feb. 02, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 電流駆動能力の高い高耐圧MOSトランジスタを提供する。【構成】 高耐圧MOSトランジスタのゲート電極1005に、ドレイン領域1004の導電型と異なる導電型のポリシリコンを用い、少なくともドレイン端を含むゲート電極の一部に高抵抗である領域1006を設けるという構成とした。
Claim (excerpt)：
高耐圧MOSトランジスタの半導体装置において、ゲート電極の少なくともドレイン端を含む一部に高抵抗部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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