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J-GLOBAL ID：200903020606243932

波長の同調が可能な共鳴キャビティを備えた光学的半導体デバイスならびに光強度の変調への応用

Inventor：
ヴァランタン・オルティ

About ヴァランタン・オルティ

, 
ニコラオ・ペレカノ

About ニコラオ・ペレカノ


Applicant, Patent owner：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

About コミツサリア タ レネルジー アトミーク


Agent (1)： 志賀 正武 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000202777
Publication number (International publication number)：2001036191
Application date： Jul. 04, 2000
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：
【要約】【課題】 製造が容易であってしかも応答時間の速い光学的半導体デバイスを提案すること。【解決手段】 波長の同調が可能な共鳴キャビティ2を備えた光学的半導体デバイスであって、共鳴キャビティを規定する2つのミラー4,6を具備し、さらに、圧電性半導体層を含有した超格子14と、荷電キャリア注入第1手段20と、を具備し、荷電キャリアが超格子14内に注入されたときには、超格子14の屈折率が変化するように構成されており、これにより、共鳴キャビティ2の共鳴モードにおける波長が変更されるようになっている。
Claim (excerpt)：
波長の同調が可能な共鳴キャビティを備えた光学的半導体デバイスであって、共鳴キャビティ(2)と、この共鳴キャビティを規定する2つのミラー(4,6;32,34)と、を具備し、さらに、-前記共鳴キャビティ内に配置されるとともに圧電性半導体層を含有した少なくとも1つの超格子(14,38)と、-前記超格子内に荷電キャリアを注入するための荷電キャリア注入第1手段(20,44)と、を具備し、前記荷電キャリアが前記超格子内に注入されたときには、前記超格子の光学的特性が変化するように構成されており、これにより、前記共鳴キャビティの共鳴モードにおける波長が変更されるようになっていることを特徴とするデバイス。
IPC (5)：
H01S 5/10 ,  G02F 1/017 501 ,  G02F 1/017 506 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/183
FI (5)：
H01S 5/10 ,  G02F 1/017 501 ,  G02F 1/017 506 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 5/183
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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