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J-GLOBAL ID：200903020625189647

人工アモルファス半導体および太陽電池への適用

Inventor：
マーチン・アンドリュー・グリーン

About マーチン・アンドリュー・グリーン


Applicant, Patent owner：
ニューサウス・イノヴェイションズ・ピーティーワイ・リミテッド

About ニューサウス・イノヴェイションズ・ピーティーワイ・リミテッド


Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007509832
Publication number (International publication number)：2007535806
Application date： Apr. 29, 2005
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：
人工アモルファス半導体材料、およびその材料から作られた接合部は、誘電体材料のマトリクスまたは誘電体材料の薄層(21、22)を介して3次元的に十分均一に分布されかつ均一に隔てられた複数の結晶質半導体材料量子ドット(23)を持つ。この材料は、半導体材料の化合物を有する誘電体材料の複数の層を最初に形成し、化学量論的誘電体材料(21)の層と半導体富裕誘電体材料(22)の層のそれぞれの交互層を形成することによって形成される。次にこの材料は加熱され、量子ドット(23)が、誘電体材料を介して3次元的に均一に分布されかつ均一に隔てられた状態で、誘電体材料の半導体富裕層内に形成される。この材料のバンドギャップと移動度は、量子ドットの大きさ、マトリックスの組成、および量子ドットの半導体材料、を含む材料パラメータを、好ましいパラメータが得られるように選ぶことによって、決定される。
Claim (excerpt)：
制御されたバンドギャップと移動度を持ち、誘電体材料のマトリクスまたは誘電体材料の薄層を介して3次元的に十分均一に分布されかつ規則的に隔てられた複数の結晶質半導体材料量子ドットを有する人工アモルファス半導体材料であって、前記材料のバンドギャップと移動度が、量子ドットの大きさ、マトリックスの組成、および量子ドットの半導体材料、を含む材料パラメータを選ぶことによって、決定されることを特徴とする人工アモルファス半導体材料。
IPC (1)：
H01L 31/04
FI (1)：
H01L31/04 B
F-Term (10)：
5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CA32 ,  5F051DA03 ,  5F051DA13 ,  5F051DA17 ,  5F051GA03 ,  5F051GA14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • オーストラリア特許仮出願第2004902299号明細書
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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