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J-GLOBAL ID：200903079384984020

発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子

Inventor：
水嶋 一樹

About 水嶋 一樹

, 
山口 健志

About 山口 健志

, 
佐々 紘一

About 佐々 紘一


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998120375
Publication number (International publication number)：1999310776
Application date： Apr. 30, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板上に直接作製することができ、発光効率が高く、発光波長の制御が可能で発光減衰速度の速い発光材料及びこれを用いた発光素子を安価に製造する。【解決手段】 粒径がナノメートルオーダーのシリコン微結晶粒子12又はゲルマニウム微結晶粒子がシリコン窒化物多結晶体13中にドット状に分散した発光材料10である。減圧化学気相堆積法又は化学気相堆積法により半導体基板16上に600〜900°Cでシリコン窒化物多結晶膜13とシリコン微結晶粒子12又はゲルマニウム微結晶粒子とを交互に堆積する。堆積後に、半導体基板16を少なくとも真空中、不活性雰囲気又は水素を含む不活性雰囲気で700〜1500°Cの温度でアニール処理することが好ましい。また半導体基板上にこの発光材料を発光層11として電極18、19を設けることにより発光素子20となる。
Claim (excerpt)：
粒径がナノメートルオーダーのシリコン微結晶粒子(12)又はゲルマニウム微結晶粒子がシリコン窒化物多結晶体(13)中にドット状に分散した発光材料。
IPC (4)：
C09K 11/59 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/14
FI (4)：
C09K 11/59 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 A ,  H05B 33/14 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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