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J-GLOBAL ID：200903020687852660

ビス-t-ブトキシカルボニルメチルチモールフタレイン、その合成方法並びにそれを含有するレジスト材料

Inventor： 八木橋 不二夫 ,  渡辺 淳 ,  高見沢 稔 ,  田中 啓順
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 滝田 清暉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993287449
Publication number (International publication number)：1995138249
Application date： Oct. 21, 1993
Publication date： May. 30, 1995
Summary：

【要約】【目的】 従来にない高感度、高解像性及び優れたプロセス適性を有する高エネルギー線用ポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】 新規な化合物であるビス-t-ブトキシカルボニルチモールフタレイン及びその製造方法、並びに、ポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂a、溶解阻害剤b及びオニウム塩cを、夫々重量分率で0.55≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記溶解阻害剤bが下記化1で表される、ビスt-ブトキシカルボニルメチルチモールフタレインであることを特徴とするポジ型レジスト材料。【化1】

Claim (excerpt)：

下記化1で表される、ビス-t-ブトキシカルボニルメチルチモールフタレイン。【化1】

IPC (4)：

C07D307/88 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-296754
  
• パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-100310   Applicant：株式会社東芝