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J-GLOBAL ID：200903020707321810

炭化ケイ素水平チャネルの緩衝ゲート用半導体ディバイス

Inventor：
シング,ランビル

About シング,ランビル


Applicant, Patent owner：
クリー インコーポレイテッド

About クリー インコーポレイテッド


Agent (1)： 奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000559600
Publication number (International publication number)：2002520857
Application date： Jun. 08, 1999
Publication date： Jul. 09, 2002
Summary：
【要約】ゲートにバイアスが印加されないときに、「ピンチオフ」のゲート領域を創出するために、半導体のゲート層及び埋込みのベース領域を利用することによって、ゲートの絶縁体がなくて済む炭化ケイ素チャネルの半導体ディバイスを提供する。本発明の特定の実施の形態においては、これらの半導体ディバイスは、第1の伝導形の、第1の面と中にチャネル領域とを有する炭化ケイ素のドリフト層を備えている。チャネル領域を規定するために、炭化ケイ素のドリフト層内に、第2の伝導形の半導体材料の埋込みベース領域が提供される。炭化ケイ素のドリフト層のチャネル領域に隣接した、炭化ケイ素のドリフト層の第1の面上に、第2の伝導形の半導体材料のゲート層が形成される。ゲート接点も、ゲート層上に形成することができる。トランジスタ及びサイリスタの両方を提供することができる。
Claim (excerpt)：
炭化ケイ素チャネルの半導体ディバイスであって、 第1の伝導形の、第1の面を有する炭化ケイ素のドリフト層と、 前記炭化ケイ素のドリフト層内の第2の伝導形の半導体材料の、チャネル領域を規定するための埋込みベース領域と、 前記炭化ケイ素のドリフト層の前記チャネル領域に隣接し電気的に接触する前記炭化ケイ素のドリフト層の前記第1の面上の、第2の伝導形の半導体材料のゲート層と、 前記ゲート層上のゲート接点と、を備えることを特徴とする炭化ケイ素チャネルの半導体ディバイス。
IPC (3)：
H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/74
FI (2)：
H01L 29/80 C ,  H01L 29/74 F
F-Term (12)：
5F005AA03 ,  5F005AB03 ,  5F005AC02 ,  5F005AF01 ,  5F005AF02 ,  5F005BA01 ,  5F005GA01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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