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J-GLOBAL ID：200903020713728108

光起電力装置

Inventor： 遠藤 浩二
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998075839
Publication number (International publication number)：1999274527
Application date： Mar. 24, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 この発明は、バンドギャップのワイド化と光劣化のない微結晶シリコンを光発電層に用いた光起電力装置を提供することを目的とする。【解決手段】 この発明は、微結晶シリコンと非晶質シリコンが混在する半導体層をi型層4とする光起電力装置において、i型層4の全部または少なくとも光入射側ドープ層と接する領域に窒素元素を含有する。

Claim (excerpt)：

微結晶シリコンと非晶質シリコンが混在する半導体層を光発電層とする光起電力装置において、光発電層の全部または少なくとも光入射側ドープ層と接する領域に窒素元素が含有されていることを特徴とする光起電力装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-163574   Applicant：三井東圧化学株式会社
• 光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-029112   Applicant：三井東圧化学株式会社