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J-GLOBAL ID：200903068308826162

光電変換素子

Inventor： 齊藤 公彦 ,  石黒 信行 ,  貞本 満 ,  福田 伸 ,  芦田 芳徳 ,  福田 信弘
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996029112
Publication number (International publication number)：1997232235
Application date： Feb. 16, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【解決手段】 本発明は、基板、第一の電極、第一のドープ型半導体薄膜、実質的に真性な半導体薄膜、第二のドープ型半導体薄膜、第二の電極の構成からなる積層して形成されたシリコン太陽電池において、実質的に真性な半導体薄膜が、結晶子を含む非晶質からなり、かつ当該結晶子が柱状もしくは円錐状に集合して構成される相をその中に有する微結晶性シリコン半導体薄膜により構成されることを特徴とする光電変換素子。【効果】 本発明で示される微結晶性シリコン半導体を真性層に適用した結果、従来に比べ、特に開放端電圧の改善により太陽電池特性が向上し、かつ光安定性が極めて向上した、優れた特性の太陽電池が形成される。

Claim (excerpt)：

結晶子を含む非晶質からなり、かつ、該結晶子が、柱状もしくは円錐状に集合して構成される相をその中に有することを特徴とする微結晶性シリコン半導体薄膜。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 非晶質太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-043597   Applicant：三井東圧化学株式会社
• 光起電力素子及びその形成方法及びその形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-013561   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平2-076267