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J-GLOBAL ID：200903020782497525

フッ化カルシウム結晶の製造方法

Inventor： 長谷川 雄 ,  杉崎 秀憲 ,  木村 和生
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (2)： 渡辺 隆男 ,  大澤 圭司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004160420
Publication number (International publication number)：2007051013
Application date： May. 31, 2004
Publication date： Mar. 01, 2007
Summary：

【課題】ArFエキシマレーザー光学系用またはF2レーザー光学系用光学部材として好適な、該レーザー波長において透過率の高いフッ化カルシウム単結晶、または該単結晶製造用前処理品としてのフッ化カルシウム結晶を安定して製造する。 【解決手段】フッ化カルシウムをルツボに充填する工程と、該ルツボを加熱して前記フッ化カルシウムを融解する工程と、融解されたフッ化カルシウムを冷却して結晶化させる工程とを有するフッ化カルシウム結晶の製造方法において、前記ルツボに充填する際におけるフッ化カルシウムのBET比表面積を3m2/g以下とする。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

フッ化カルシウムをルツボに充填する工程と、該ルツボを加熱して前記フッ化カルシウムを融解する工程と、融解されたフッ化カルシウムを冷却して結晶化させる工程とを有するフッ化カルシウム結晶の製造方法であって、前記ルツボに充填する際におけるフッ化カルシウムのBET比表面積が3m2/g以下であるフッ化カルシウム結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 19/12 ,  C30B 11/00

FI (2)：

C30B19/12 ,  C30B11/00 Z

F-Term (7)：

4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CD02 ,  4G077EC02 ,  4G077HA01 ,  4G077MB04 ,  4G077MB08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• フッ化カルシウム単結晶の製造方法、フッ化カルシウム単結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-346206   Applicant：株式会社ニコン