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J-GLOBAL ID：200903020878088103

ガスハイドレートの製造方法および装置

Inventor： 久谷 益士郎 ,  松尾 和芳 ,  宮田 淳也
Applicant, Patent owner： 三井造船株式会社
Agent (2)： 村上 友一 ,  大久保 操
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004331850
Publication number (International publication number)：2006143771
Application date： Nov. 16, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：

【課題】 輸送中、貯蔵中におけるハイドレート中のガスの残存率を向上させる。【解決手段】 演算・制御装置60のハイドレート化率演算部72は、水分センサ56が検出信号に基づいてガスハイドレート生成物のハイドレート化率xを求め、評価関数・制御目標温度演算部78に入力する。残存率演算部80は、粒子径演算部76が求めたガスハイドレート生成物の粒子径と、製造・輸送条件設定部84に設定された製造条件、輸送条件と、残存率データ記憶部86に記憶されている粒子径に対応したガスハイドレートの残存率から、ガスハイドレートの残存率yを求めて評価関数・制御目標温度演算部78の入力する。評価関数・制御目標温度演算部78は、評価関数J=x・yを求めるとともに、評価関数Jが最大となる生成温度を求めて制御部82に制御目標温度として出力する。制御部82は、温度センサ54の検出する生成温度が制御目標温度となるように制御する。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

冷却した水とガスとを高圧下において反応させてガスハイドレートを生成するガスハイドレートの製造方法において、 生成した前記ガスハイドレートの粒子径と、生成後における前記ガスハイドレートの残存率との関係を予め求め、 前記ガスと前記水とを反応させる過程において得た生成物中のガスハイドレートの割合であるハイドレート化率と、生成された前記ガスハイドレートの前記粒子径に基づいて前記残存率とを求め、 前記ハイドレート化率と前記求めた残存率との積として表される評価関数の値が最大となるように、前記ガスハイドレートの生成温度を制御する、 ことを特徴とするガスハイドレートの製造方法。

IPC (3)：

C10L 3/06 ,  C07C 5/00 ,  C07C 9/04

FI (3)：

C10L3/00 A ,  C07C5/00 ,  C07C9/04

F-Term (6)：

4H006AA02 ,  4H006AA04 ,  4H006AD15 ,  4H006BB31 ,  4H006BC10 ,  4H006BD84

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ハイドレート製造方法及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-247610   Applicant：石川島播磨重工業株式会社