高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：富田和夫 , 鴨井久太郎 , 影山秀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006323242
Publication number (International publication number)：2008138232
Application date： Nov. 30, 2006
Publication date： Jun. 19, 2008
Summary：

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのCu-In-Ga-Se四元系合金膜を形成するときに使用する高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】Ga:30〜60質量%を含有し、残部がCuからなる成分組成を有するターゲットであって、このターゲットは、Ga:30質量%を越えて含有し、残部がCuからなる高Ga含有Cu-Ga二元系合金粉末に、純銅粉末またはGa:15質量%以下を含み、残部がCuからなる低Ga含有Cu-Ga二元系合金粉末を、Ga:30〜60質量%を含有し残部がCuからなる成分組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスして得られGa:30〜60質量%を含有し、残部がCuからなる成分組成を有するホットプレス体の表面を切削して製造する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

Ga:30〜60質量%を含有し、残部がCuからなる成分組成、並びにGa:30質量%を越えて含有し、残部がCuからなる高Ga含有Cu-Ga二元系合金粒をGa:15質量%以下の低Ga含有Cu-Ga二元系合金からなる粒界相で包囲した二相共存組織を有することを特徴とする高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲット。

IPC (6)：

C22C 9/00 , C23C 14/34 , C22C 28/00 , C22C 1/04 , B22F 3/14 , B22F 3/24

FI (7)：

C22C9/00 , C23C14/34 A , C22C28/00 B , C22C1/04 A , C22C1/04 E , B22F3/14 D , B22F3/24 G

F-Term (14)：

4K018AA04 , 4K018AA40 , 4K018BA02 , 4K018BB04 , 4K018BC12 , 4K018EA01 , 4K018FA06 , 4K018KA29 , 4K018KA51 , 4K018KA62 , 4K029BA21 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

光吸収層の作製方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-127611 Applicant：本田技研工業株式会社
特許第3249408号明細書

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