Pat

J-GLOBAL ID：200903080292015380

光吸収層の作製方法および装置

Inventor： 武内 伸介 ,  久米 智之 ,  小丸 貴史
Applicant, Patent owner： 本田技研工業株式会社
Agent (1)： 鳥井 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002127611
Publication number (International publication number)：2003282908
Application date： Mar. 25, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極上にCu-Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサ膜を形成し、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製するに際して、光吸収層の結晶化の不良による密着性の低下に起因する太陽電池特性の劣化を防止して、品質の良い光吸収層を作製する。【構成】 裏面電極上にIn層を形成したうえで、その上にCu-Ga合金層を形成することにより積層プリカーサ膜を形成して、その積層プリカーサ膜をSe雰囲気中で熱処理したときに裏面電極との界面におけるGa濃度を下げて、Cu-In-Ga-Se化合物として組成の安定した光吸収層を作製するようにする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極上にCu-Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサ膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製する方法にあって、裏面電極上にIn層を形成したうえで、その上にCu-Ga合金層を形成して積層プリカーサ膜を形成するようにしたことを特徴とする光吸収層の作製方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  C23C 14/14

FI (2)：

C23C 14/14 G ,  H01L 31/04 E

F-Term (20)：

4K029BA10 ,  4K029BA21 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029GA01 ,  4K029KA09 ,  5F051AA09 ,  5F051BA14 ,  5F051BA17 ,  5F051CA32 ,  5F051CA36 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03 ,  5F051HA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 化合物半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-011657   Applicant：松下電器産業株式会社