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J-GLOBAL ID：200903020889675191

トレンチの形成方法

Inventor：
福田 誠一

About 福田 誠一


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995236217
Publication number (International publication number)：1997064020
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】 寸法変換差が抑制されたトレンチを形成して、設計寸法に基づいて精密に加工された半導体装置を製造することができる様にする。【解決手段】 Si基板21上にSiO2 膜22を介してSi3 N4 膜23、多結晶Si膜24及びフォトレジスト25を形成し、形成すべきトレンチ27のパターンの開口26を形成する。開口26の形成によってこの開口26の側壁にポリマーが付着するので、このポリマーを除去してから、フォトレジスト25等をマスクしたエッチングでトレンチ27を形成する。このため、ポリマーがトレンチ27を形成するためのエッチング時にマスクにならない。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にマスク層を形成する工程と、形成すべきトレンチのパターンの開口を前記マスク層に形成する工程と、前記開口の形成によってこの開口の側壁に付着したポリマーを除去する工程と、前記ポリマーを除去した前記マスク層をマスクにして前記半導体基板をエッチングして前記トレンチを形成する工程とを具備することを特徴とするトレンチの形成方法。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3)：
H01L 21/302 N ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 625 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-116830   Applicant：富士通株式会社
  • 特開平3-262122
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-227398   Applicant：ソニー株式会社
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Cited by examiner (7)
  • 特開平3-262122
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-116830   Applicant：富士通株式会社
  • 特開平3-262122
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