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J-GLOBAL ID:200903020897299930
還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
押田 良久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993193940
Publication number (International publication number):1994266119
Application date: Jul. 09, 1993
Publication date: Sep. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 酸化及び還元電位を有する少なくとも1つの求核アミン化合物と、求核アミン化合物と混和可能な少なくとも1つの溶剤と、水と、及び任意選択的に1つ又は複数のキレート剤とから成るレジスト及びエッチング残分除去組成物、及びこの組成物を使用し、レジストを除去してマイクロ回路基板を洗浄する方法を提供すること。【構成】 酸化及び還元電位を有する少なくとも1つの求核アミン化合物と、少なくとも1つの有機溶剤と、水と、及び任意選択的にキレート剤とを含有する、基板からレジスト及びエッチング残分を除去するための組成物について説明している。キレート剤は、洗浄組成物に安定性及び活性を付加することによって組成物に長期に亙る効果を付与するため、含めることが好ましい。
Claim (excerpt):
還元及び酸化電位を有する少なくとも1つの求核アミン化合物と、前記少なくとも1つの求核アミン化合物と混和可能な少なくとも1つの有機溶剤と、及び水とから成るレジスト及びエッチング残留分を除去する組成物であって、前記1つの求核アミン化合物及び前記少なくとも1つの有機溶剤が、基板からエッチング残留分又はレジストを除去するのに十分な量で存在することを特徴とする組成物。
IPC (7):
G03F 7/32 501
, C11D 7/60
, G03F 7/42
, H01L 21/027
, H01L 21/304 341
, C11D 7:32
, C11D 7:50
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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特開昭49-111975
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特開平1-105949
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特開平4-289866
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特開昭63-241545
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特開昭55-052379
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特開昭62-095531
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特開昭64-021088
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特開昭64-024254
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特開昭64-002325
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特開昭56-005899
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特開昭63-183445
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特開平1-159388
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特開昭62-049355
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ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-105186
Applicant:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社
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