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J-GLOBAL ID：200903020995864734

半導体基板用研磨組成物及びこれを用いた半導体基板製造方法

Inventor： 加藤 宏樹 ,  中野 裕之 ,  白井 勝之 ,  寺本 匡志 ,  松本 直樹 ,  竹本 菊郎 ,  三浦 祥紀
Applicant, Patent owner： ロデール・ニッタ株式会社 ,  住友電気工業株式会社
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003100373
Publication number (International publication number)：2004311575
Application date： Apr. 03, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】窒化ガリウム系半導体基板のように比較的硬質で研磨の困難性の高い被研磨物の研磨作業を安価かつ簡易に行うことができるようにする研磨組成物の提供や、この研磨組成物を用いて窒化ガリウム系半導体を主に研磨できるようにする。【解決手段】例えばコロイダルシリカなどの軟質砥粒と例えばダイヤモンドまたはアルファアルミナなどの硬質砥粒とが分散媒としての純水に分散されるとともに、研磨促進剤および殺菌剤が含まれている研磨組成物6である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

軟質砥粒と硬質砥粒とが分散媒としての水に分散されている、ことを特徴とする半導体基板用研磨組成物。

IPC (3)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (5)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550F ,  C09K3/14 550Z

F-Term (6)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ウエハ材の研磨方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-527237   Applicant：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース