シリカ薄膜形成用組成物およびシリカ薄膜の形成方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997056882
Publication number (International publication number)：1998237307
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Sep. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】基材に塗布した時、基材に対する被覆平坦化性に優れ、高エネルギー線照射後は電気絶縁性に優れたシリカ薄膜となり得るシリカ薄膜形成用組成物およびその形成方法を提供する。【解決手段】 (A)分子量が1,500以下の水素シルセスキオキサン樹脂を少なくとも45重量%含有する水素シルセスキオキサン樹脂と(B)溶剤からなることを特徴とするシリカ薄膜形成用組成物、および該シリカ薄膜形成用組成物を基材表面に塗布し、次いで、前記(B)成分の溶剤を蒸発させ、しかる後に、前記基材表面に高エネルギー線を照射することにより、前記(A)成分の水素シルセスキオキサン樹脂の少なくとも一部をシリカとすることを特徴とするシリカ薄膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

(A)分子量が1,500以下の水素シルセスキオキサン樹脂を少なくとも45重量%含有する水素シルセスキオキサン樹脂と(B)溶剤からなることを特徴とするシリカ薄膜形成用組成物。

IPC (2)：

C08L 83/04 , H01L 21/316

FI (2)：

C08L 83/04 , H01L 21/316 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-298542
シルセスキオキサンポリマー組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-085521 Applicant：日本ゼオン株式会社
ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-338103 Applicant：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社

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