薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびにそれらを用いた半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996030259
Publication number (International publication number)：1997228040
Application date： Feb. 19, 1996
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】スパッタ薄膜の表面被覆率および表面平坦性の改善を行い、半導体集積回路装置の信頼性と製造歩留まりを向上する。【解決手段】複数の成膜室を有する薄膜形成装置において、Tiスパッタ成膜室5を設け、Tiターゲット5aと冷却可能なウェハステージ8と備える。ウェハステージ8の内部は、冷媒温度調節器8bに接続される冷媒導入用の流路8aに、例えばフロリナートのような冷媒8dを循環させ、冷媒温度調節器8bを用いた熱交換により、ウェハステージ8の温度を例えば-20°C程度まで下げる。さらにウェハステージ8には抵抗加熱ヒータ8eおよび熱電対8fが設置されており、冷媒との併用により、例えば-10°C程度に温度を調整し保持することが可能となっている。

Claim (excerpt)：

その内部の圧力を大気圧以下の圧力に保持することができる一または二以上の真空容器と、前記真空容器内の気体を排気する排気手段と、前記真空容器のうち少なくとも一の真空容器に一定流量のガスを供給するガス供給手段と、前記ガスを排気し、前記一の真空容器内の圧力を所定の圧力に保持する圧力調整手段と、前記ガスの全部もしくは一部をプラズマ状態にすることができるプラズマ生成手段と、前記プラズマに接し、薄膜の原料となる物質を主成分とする材料をその表面に有するターゲットと、前記プラズマの作用によって前記ターゲットからスパッタリングされた原料物質がその表面に堆積される基板を保持する基板ホルダと、を含む薄膜形成装置であって、前記基板ホルダは、前記基板を冷却する冷却機構を備えるものであることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3)：

C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/768

FI (4)：

C23C 14/34 K , C23C 14/34 M , H01L 21/203 S , H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平3-156920
半導体装置の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-238905 Applicant：ソニー株式会社
配線形成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-060222 Applicant：ヤマハ株式会社

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