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J-GLOBAL ID：200903021043258390

スパッタリングターゲット

Inventor： 谷 典明 ,  中村 久三 ,  鈴木 郁生 ,  鄒 紅▲こう▼ ,  白 忠烈 ,  石川 道夫
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993253382
Publication number (International publication number)：1995109566
Application date： Oct. 08, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 従来の金属酸化物から成るスパッタリングターゲットに比して、低い印加パワーでスパッタリングを行っても高いスパッタ収率で、安定した成膜速度が得られるスパッタリングターゲット。【構成】 セラミックス材ターゲットを用いて基板上に誘電体膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲットは印加電圧1.5Vで測定したターゲットの板厚方向の電気抵抗を100mΩ・cmないし10Ω・cmの範囲としたスパッタリングターゲット。

Claim (excerpt)：

セラミックス材ターゲットを用いて基板上に誘電体膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲットは印加電圧1.5Vで測定したターゲットの板厚方向の電気抵抗が100mΩ・cmないし10Ω・cmであることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-058510
  
• 特開昭59-136480
  
• 誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-120120   Applicant：真空冶金株式会社