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J-GLOBAL ID：200903021055512828

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
土屋 泰章

About 土屋 泰章


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996235164
Publication number (International publication number)：1998079388
Application date： Sep. 05, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置において配線材料に銅を用いた場合の有効なバリア膜を得ること、及び配線材料やバリア膜を形成する部位の構造を問わない形成方法を提供する。また、低融点の層間絶縁膜を用いた場合の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】銅原子の拡散を防止するバリア膜としてCrN単相膜が有効である。CrN単相膜はCrをターゲットとして窒素/アルゴンガス混合雰囲気中で特定の条件下でスパッタリングし、半導体基板上に直接堆積する。CrN単相が得られる条件は予めパラメータを管理して求めておき、その求めた条件を適用しスパッタリングにより半導体装置を製造する。直接CrN単相膜をスパッタリングにより成膜するため、様々な形態・構造にも対応できる。また、成膜時の温度が室温程度であるため、融点の低い有機層間絶縁膜などにも対応できる。
Claim (excerpt)：
絶縁膜により絶縁され少なくとも一部がバリア膜により被覆された配線材料が銅であり、バリア膜が単相CrNの不定比組成範囲内の組成を有するCrN膜からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 301
FI (2)：
H01L 21/88 R ,  H01L 21/285 301 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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