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J-GLOBAL ID：200903021080649455

炭化珪素を用いたpn接合型発光ダイオード

Inventor： 斉藤 肇 ,  藤井 良久
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993093983
Publication number (International publication number)：1994310757
Application date： Apr. 21, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 炭化珪素を用いたpn接合型発光ダイオードの動作電圧の低減化と発光強度の向上を目的とする。【構成】 炭化珪素を用いたpn接合型発光ダイオードのn型炭化珪素基板裏面3に、Ptからなる補助電極1とNiからなるオーミック電極2とからなる複合電極を設け、上記補助電極1とオーミック電極2の面占有率が、各々、5〜20%であり、上記補助電極の光反射率が60%以上である構成による。【効果】 単一金属材料の電極と比較して、より一層の動作電圧の低減化と発光強度の向上を達成でき、高信頼で、高輝度の青色発光ダイオードを実現できる。

Claim (excerpt)：

n型炭化珪素基板の一主面にオーミック電極及び補助電極を有し、上記一主面上での上記オーミック電極の平面形状と上記補助電極の平面形状が異なり、上記一主面の面積に対する上記オーミック電極及び上記補助電極の面積の割合が各々5〜20%であり、pn接合型発光ダイオードの発光波長範囲において上記補助電極の光反射率が60%以上であることを特徴とする炭化珪素を用いたpn接合型発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• SiC発光ダイオードの電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-227256   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭53-116073