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J-GLOBAL ID：200903021154924151

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
鈴木 和彦

About 鈴木 和彦


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999031403
Publication number (International publication number)：2000232186
Application date： Feb. 09, 1999
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：
【要約】【課題】 発熱量の大きな半導体チップの放熱を効率よく行なえ、パッケージサイズを小さくする。【解決手段】 半導体装置30は、基板34の中央部に開口36が設けてある。基板34の一側面の開口36の周囲には、半田ボール18がマトリックス状に配設してある。基板34の他側面には、半導体チップ32が搭載してある。半導体チップ32は、開口36を覆って配置され、周縁部が開口36の周辺部に固着してある。開口36には、凸状に形成した放熱板42の充填部44が挿入、配置してある。
Claim (excerpt)：
一側面に複数の端子部が配設してある基板に貫通して形成した開口と、基板の他側面において前記開口の周辺部に周縁部を載置した半導体チップと、前記開口内に設けた放熱材とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 23/29 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28
FI (5)：
H01L 23/36 A ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/28 B ,  H01L 23/12 J
F-Term (19)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DA02 ,  4M109DB16 ,  4M109GA05 ,  5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BC33 ,  5F036BE01 ,  5F036BE09 ,  5F044AA02 ,  5F044JJ03 ,  5F044JJ05 ,  5F044KK07 ,  5F044RR10 ,  5F044RR16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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