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J-GLOBAL ID：200903021155291519

GaN結晶の製造方法、GaN結晶基板および半導体デバイス

Inventor： 上村 智喜 ,  藤原 伸介 ,  宮永 倫正 ,  中幡 英章
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006039411
Publication number (International publication number)：2007217227
Application date： Feb. 16, 2006
Publication date： Aug. 30, 2007
Summary：

【課題】転位密度が低く結晶性のよいGaN結晶の製造方法、GaN結晶基板、およびそのGaN結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。【解決手段】GaN結晶の製造方法は、昇華法により成長させたAlN種結晶の少なくとも一部で形成されているAlN種結晶基板3を用いて、HVPE法によりGaN結晶4を成長させるGaN結晶の製造方法であって、AlN種結晶基板の反りの曲率半径が5m以上であることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

昇華法により成長させたAlN種結晶の少なくとも一部で形成されているAlN種結晶基板を用いて、HVPE法によりGaN結晶を成長させるGaN結晶の製造方法であって、 前記AlN種結晶基板の反りの曲率半径が5m以上であることを特徴とするGaN結晶の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/04 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/20

FI (5)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20

F-Term (46)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK02 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4K030AA02 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030LA14 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LM09 ,  5F152LN03 ,  5F152LN27 ,  5F152LN29 ,  5F152LN32 ,  5F152LN35 ,  5F152MM01 ,  5F152MM02 ,  5F152MM03 ,  5F152MM05 ,  5F152MM07 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM11 ,  5F152NN09 ,  5F152NN27 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• III族窒化物結晶の成長方法、III族窒化物結晶基板および半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-149690   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-034357   Applicant：日立電線株式会社