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J-GLOBAL ID：200903019583914755

窒化物半導体の製造方法

Inventor：
藤倉 序章

About 藤倉 序章


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004034357
Publication number (International publication number)：2005225693
Application date： Feb. 12, 2004
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：
【課題】n型窒化物半導体を成長する際に、ウェハ面内に成長速度の分布が存在する場合においても、ウェハ面内で均一なドーピング濃度を実現する窒化物半導体の製造方法を提供すること。【解決手段】基板1上にn型窒化物半導体(n型GaN層5)を気相成長法により成長する窒化物半導体の製造方法において、前記n型窒化物半導体中の電子濃度が窒化物半導体の成長領域へのn型ドーパント原料の導入量によらず一定である、n型ドーパントの導入量領域を用いて、窒化物半導体中にn型ドーパントを供給する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上にn型窒化物半導体を気相成長法により成長する窒化物半導体の製造方法において、前記n型窒化物半導体中の電子濃度が窒化物半導体の成長領域へのn型ドーパント原料の導入量によらず一定である、n型ドーパントの導入量領域を用いて、窒化物半導体中にn型ドーパントを供給することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
IPC (7)：
C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00
FI (5)：
C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01L29/80 H
F-Term (63)：
4G077AA03 ,  4G077BE01 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TJ06 ,  4G077TK01 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045CA12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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