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J-GLOBAL ID：200903021173628512
不揮発性固体磁気メモリの記録方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 興作
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002212003
Publication number (International publication number)：2004055867
Application date： Jul. 22, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】省電力で実用に供することのできる新規な不揮発性固体磁気メモリを提供すべく、前記新規な不揮発性固体磁気メモリに対する記録方法を提供する。【解決手段】基板1上に、バッファ層2と、キャリア誘起強磁性体からなる記録層3と、絶縁層4を介して金属電極層5を順次に形成して、電界効果型トランジスタ構造の不揮発性固体磁気メモリ10を作製する。そして、記録層3に対して、所定の外部磁場Bが印加された状態において、金属電極層5を介して所定の電界E1と、記録層3中の正孔濃度が、前記電界E1を印加したときよりも減少するような電界E2とを印加して、記録層3の磁化を反転させ記録動作を実行する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
キャリア誘起強磁性体を記録層として具える不揮発性固体磁気メモリの記録方法であって、前記記録層に対し、所定の外部磁場を印加した状態において、第1の電界と、前記記録層中の正孔濃度が前記第1の電界印加時よりも減少するような第2の電界とを印加し、前記記録層中の磁化を反転させて記録動作を実行するようにしたことを特徴とする、不揮発性固体磁気メモリの記録方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L27/10 447
, H01L43/06 S
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083HA06
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA51
, 5F083PR25
Cited by examiner (3)
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磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-151368
Applicant：株式会社東芝
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磁性半導体を用いた脳型メモリおよび脳型演算装置およびその使用方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-369900
Applicant：科学技術振興事業団
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磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-190697
Applicant：日本放送協会
Article cited by the Patent：
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