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J-GLOBAL ID：200903021173857058

半導層および絶縁層を形成するために混合溶液を使ってボトムゲート型薄膜トランジスタを形成する改良された方法

Inventor：
アナ シー アリアス

About アナ シー アリアス


Applicant, Patent owner：
パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド

About パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド


Agent (2)： 吉田 研二 ,  石田 純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005178743
Publication number (International publication number)：2006013492
Application date： Jun. 20, 2005
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：
【課題】電子デバイスにおいて、ポリマ層を形成し封じ込める。【解決手段】絶縁性ポリマ層によって保護された半導性ポリマ層を形成する改良された方法を説明する。この方法では、半導性ポリマおよび絶縁性ポリマを形成する物質を溶媒中で溶解する。混合溶液を基板の上に堆積すると、半導性ポリマと絶縁性ポリマとが分離する。溶媒が気化すると、半導性物質はTFTのアクティグ領域を形成し、絶縁性ポリマは、半導性ポリマが空気に露出されることを最小限にする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ボトムゲート型薄膜トランジスタTFTを形成する方法であって、 第1の基板領域の上にソースを形成する工程と、 第2の基板領域の上にドレインを形成する工程と、 前記ソースと前記ドレインとの間に混合溶液を堆積させる工程と、を含み、 前記混合溶液は、堆積後に、前記ボトムゲート型薄膜トランジスタの前記ソースと前記ドレインとの間にポリマ半電導性層が形成されるように、半導性ポリマを形成するように意図された材料と、絶縁体を形成するように意図された材料とを含む、方法。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05
FI (4)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/28
F-Term (30)：
5F058AA10 ,  5F058AB06 ,  5F058AC02 ,  5F058AC05 ,  5F058AC10 ,  5F058AD04 ,  5F058AD06 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AH01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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