有機トランジスタおよびその製造方法ならびに有機トランジスタ製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004048416
Publication number (International publication number)：2005243731
Application date： Feb. 24, 2004
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：

【課題】第1導電型を有する第1の有機材料と第2導電型を有する第2の有機材料とを含む半導体層を有する有機トランジスタにおいて、簡便かつ低コストで作製できる構造、製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】第1導電型を有する第1の有機材料中に、第2導電型を有する第2の有機材料の微粒子が分散した構造の半導体層を有する有機トランジスタ。該有機トランジスタは、第1の溶媒に第1導電型を有する第1の有機材料を溶解又は分散した第1の溶液と第2導電型の第2の有機材料を第2の溶媒に溶解した第2の溶液とを混合して、第2の有機材料の微粒子が該第1の溶液中に分散した第3の溶液を形成する工程と、該第3の溶液を基板上に供給して該第1の有機材料と該第2の有機材料からなる微粒子との混合膜を形成する工程を備えた製造方法およびこれを利用した製造装置によって製造される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の電極と、前記第1の電極と絶縁層を介して接する有機材料の層と、前記有機材料の層に接した第2、および第3の電極を有する有機トランジスタにおいて、前記有機材料の層が、第1導電型を有する第1の有機材料中に第2導電型を有する第2の有機材料の微粒子が分散した混合層であることを特徴とする有機トランジスタ。

IPC (3)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/28

F-Term (35)：

5F110AA05 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG07 , 5F110GG16 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

共役重合体と受容体のヘテロ接合体;ダイオード、フォトダイオード及び光電池
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平6-506524 Applicant：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
有機薄膜トランジスタ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-345004 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
有機半導体薄膜太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265227 Applicant：科学技術振興事業団

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