半導体式ガスセンサ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995329291
Publication number (International publication number)：1997166567
Application date： Dec. 18, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】【課題】Si等の被毒物質、H2 S、SO2 等の被毒ガスに対する耐久性に優れた半導体式ガスセンサ及びその製造方法を提供するにある。【解決手段】感ガス体6の全体を覆うフィルタ層7は酸化錫(SnO2 )と、アルミナゾルを基本的なフィルタ材料として用い、被毒に対する耐久性を高め、また経時安定性、初期安定化時間の短縮等に対して優れた特性を示す。

Claim (excerpt)：

酸化錫半導体からなる感ガス体を覆うように酸化錫と、無定型アルミナ或いはベーマート或いはγ-アルミナ、又は無定型アルミナ、ベーマイト、γ-アルミナの内の少なくとも二つの混合物とからなるフィルタ層を形成したことを特徴とする半導体式ガスセンサ。

FI (3)：

G01N 27/12 B , G01N 27/12 C , G01N 27/12 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

ガスセンサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-141434 Applicant：フイガロ技研株式会社
特開平1-304350
特開昭56-119837

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Cited by examiner (7)

ガスセンサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-141434 Applicant：フイガロ技研株式会社
特開平1-304350
特開平1-304350

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