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J-GLOBAL ID：200903021203915686

半導体パッケージとその製造方法

Inventor： 仙波 直治 ,  嶋田 勇三 ,  内海 和明 ,  得能 健市 ,  森▲崎▼ 郁志 ,  銅谷 明裕 ,  盆子原 學
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995036664
Publication number (International publication number)：1996236694
Application date： Feb. 24, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ワイヤボンディング方式、TAB方式を採用しないで、配線長の極めて短い電気特性の良好な小型、薄型で高密度で、しかも低コスト、高信頼性のスタックモジュール半導体パッケージの構造および製造方法を提供する。【構成】 配線導体3が形成されたセラミックキャリア基板もしくはフレキシブルキャリアフィルム2に微小バンプ4を介してLSIチップ1が実装されている。封止樹脂7を注入して、チップを研磨により薄くし、配線導体3から電気的に接続されたスルーホール5を介してバンプ4で各キャリアフィルムを接続し、三次元スタックモジュールを構成する。

Claim (excerpt)：

キャリアの内部もしくは端面のスルーホールと、少なくともキャリアの表面に形成された導体パターンと、キャリアの裏面に形成され該スルーホールと電気的に接続されたインナーボンディング用のパッドと、該インナーボンディング用のパッドによって接続固定されたLSIチップとからなることを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (3)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• メモリモジユール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-185957   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-290258
  
• ランドグリッドアレイパッケージ及びその作製方法、並びに半導体パッケージ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-067406   Applicant：ソニー株式会社, イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー