レジストパターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004036944
Publication number (International publication number)：2004199084
Application date： Feb. 13, 2004
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

【課題】電子線で行なうことができ、下層の露光時にマスクとなり得る高い吸収波長帯を有し、下層膜との間にミキシング等を形成しにくい特定の材料を上層材料として用いたPCM法による実用的なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板上に下層感光性材料膜を形成する工程と、前記下層感光性材料膜の上に、置換もしくは非置換のベンゼン環または多環縮合芳香環または脂環式骨格を含む上層感光性材料膜を形成する工程と、前記上層感光性材料膜の所定の領域に電子線を照射して露光を施す工程と、前記露光後の上層感光性材料膜の露光部または未露光部をアルカリ水溶液で溶解除去して現像する工程と、前記現像する工程の後に得られた上層感光性材料膜パターンをマスクとして波長190〜260nmの光を一括照射し、現像処理を施して露光部を選択的に溶解・除去することにより、前記上層感光性材料膜パターンを前記下層感光性材料膜に転写する工程とを具備することを特徴とする。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基板上に下層感光性材料膜を形成する工程と、前記下層感光性材料膜の上に、置換もしくは非置換のベンゼン環または多環縮合芳香環または脂環式骨格を含む上層感光性材料膜を形成する工程と、前記上層感光性材料膜の所定の領域に電子線を照射して露光を施す工程と、前記露光後の上層感光性材料膜の露光部または未露光部をアルカリ水溶液で溶解除去して現像する工程と、前記現像する工程の後に得られた上層感光性材料膜パターンをマスクとして波長190〜260nmの光を一括照射し、現像処理を施して露光部を選択的に溶解・除去することにより、前記上層感光性材料膜パターンを前記下層感光性材料膜に転写する工程とを具備するレジストパターン形成方法。

IPC (4)：

G03F7/26 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027

FI (7)：

G03F7/26 511 , G03F7/039 601 , G03F7/20 504 , H01L21/30 541P , H01L21/30 502R , H01L21/30 573 , H01L21/30 502A

F-Term (45)：

2H025AA02 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE02 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB13 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025DA13 , 2H025FA17 , 2H025FA35 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA10 , 2H096BA11 , 2H096EA06 , 2H096GA08 , 2H096HA07 , 2H096JA04 , 2H096KA03 , 2H096KA06 , 2H096KA23 , 2H097AA13 , 2H097CA13 , 2H097CA16 , 2H097FA07 , 2H097LA10 , 5F046AA09 , 5F046CA04 , 5F046CA07 , 5F046NA01 , 5F046NA14 , 5F046NA15 , 5F056AA31 , 5F056DA04 , 5F056DA09 , 5F056DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

感光性材料、パターン形成方法、および電子部品の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-236047 Applicant：株式会社東芝
特開昭62-270952
特開平2-039049

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