窒化物半導体基板及びその製造方法、並びにその窒化物半導体基板を用いた窒化物半導体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊栖康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001185037
Publication number (International publication number)：2002261032
Application date： Jun. 19, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】発光ダイオード、レーザダイオード等の発光素子、あるいは太陽電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化物半導体に係わり、特に窒化物半導体よりなる基板の結晶欠陥を低減させ、結晶性に優れた窒化物半導体基板の成長方法に関する。【解決手段】支持基板上に、部分的にストライプ状又は格子状の保護膜を形成し、前記支持基板露出部より保護膜上に第1の窒化物半導体を横方向成長させて前記保護膜を覆わない状態で止め、保護膜を除去することにより横方向成長した第1の窒化物半導体の下部に空間を形成し、その後、第1の窒化物半導体の上面、又は上面及び横方向成長部分である側面より第2の窒化物半導体を成長させる。

Claim (excerpt)：

支持基板と、前記支持基板表面の周期的なストライプ状、格子状、又は島状の部分を成長起点として横方向成長し、互いに接合する前に横方向成長を停止することにより周期配列されたT字状断面を有する第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上面、又は上面及び横方向成長した側面を核として成長し、支持基板全面を覆う第2の窒化物半導体層とを備え、前記第2の窒化物半導体層が互いに接合する部分の下に空間が形成されていることを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

F-Term (38)：

5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F045AA02 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F045AF20 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DB01 , 5F045DB06 , 5F073AA14 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

単結晶シリコン上に化合物半導体のエピタキシヤル層を製造する方法及びそれにより製造された発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-128021 Applicant：テミツクテレフンケンマイクロエレクトロニツクゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
特表昭57-500670
半導体基板および半導体発光素子およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-371119 Applicant：株式会社リコー

Cited by examiner (4)

特表昭57-500670
単結晶シリコン上に化合物半導体のエピタキシヤル層を製造する方法及びそれにより製造された発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-128021 Applicant：テミツクテレフンケンマイクロエレクトロニツクゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
特表昭57-500670

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