不揮発性半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川和音
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995074938
Publication number (International publication number)：1996274192
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、優れたトランジスタ特性を示す不揮発性半導体装置およびTATを短くすることができる不揮発性半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体基板と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する多数のMOS型メモリトランジスタを具備し、前記ゲート電極は、不純物濃度を変化させることにより情報が記録されることを特徴としている。また、半導体基板に多数のMOS型メモリトランジスタを作製し、MOS型メモリトランジスタの前記ゲート電極に不純物をドーピングして前記ゲート電極中の不純物濃度を変化させることにより前記ゲート電極に情報を記録することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体基板と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する多数の第1導電型MOS型メモリトランジスタを具備し、前記ゲート電極の不純物濃度を変化させることにより情報が記録されることを特徴とする不揮発性半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/8246 , H01L 27/112 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L 27/10 433 , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平3-011764
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-309835 Applicant：日本ビクター株式会社

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