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J-GLOBAL ID：200903021356031957

スパッタリングターゲット

Inventor： 渡邊 光一 ,  鈴木 幸伸 ,  石上 隆 ,  渡辺 高志 ,  藤岡 直美 ,  高阪 泰郎 ,  小松 透
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001369001
Publication number (International publication number)：2003171759
Application date： Dec. 03, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 Nbスパッタリングターゲットを用いたスパッタ成膜工程において、装置トラブルや製品不良などの原因となる異常放電の発生回数を減少させる。これによって、例えば反射防止膜などの形成工程における製造歩留まりの向上と製造コストの低減などを図る。【解決手段】 スパッタリングターゲットはNb材からなる。このようなNbターゲットはビッカース硬さがHv70〜130の範囲とされており、かつNbターゲット全体としてのビッカース硬さのばらつきが30%以下とされている。このようなNbターゲットの硬さおよびそのばらつきに基づいて、異常放電の発生を抑制することが可能となる。

Claim (excerpt)：

Nb材からなるスパッタリングターゲットであって、前記ターゲットのビッカース硬さがHv70〜130の範囲であり、かつターゲット全体としての前記ビッカース硬さのばらつきが30%以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C22C 27/02 102

FI (2)：

C23C 14/34 A ,  C22C 27/02 102 Z

F-Term (10)：

4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA43 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC24 ,  4K029FA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• スパッタターゲット、配線膜および電子部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-204000   Applicant：株式会社東芝
• 光学部品及びその製造方法並びに光学部品の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-294405   Applicant：ソニー株式会社