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J-GLOBAL ID：200903021361208105

電子放出素子の製造方法

Inventor： 段谷 恭史 ,  太田 範雄
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (1)： 志村 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993259045
Publication number (International publication number)：1995094084
Application date： Sep. 22, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 できるだけマスク合わせの工程を省き、電子放出素子を容易に製造することができる方法を提供する。【構成】 ガラス基板11上にITO層12,タンタル層13b,酸化タンタル層13a,アルミニウム冷陰極17を形成し、基板全面にレジストを塗布する。基板裏面側からの背面露光を行い現像すると、不透明な冷陰極17近傍のレジスト層18aだけが残る。基板全面に絶縁層19およびゲート電極層20を形成した後、レジスト層18aをリフトオフし、その上にのっている絶縁層19およびゲート電極層20を一緒に除去すれば、中央の冷陰極17を取り囲むようにゲート電極層20が配された電子放出素子が得られる。

Claim (excerpt)：

冷陰極と引出電極とを備え、引出電極によって冷陰極から電子を引き出してこれを放出させる電子放出素子の製造方法において、透明な絶縁性基板上に透明な導電膜を形成し、前記導電膜上に不透明な導電性の冷陰極を形成し、基板全面にレジスト層を形成し、前記絶縁性基板の下面側から光を照射する背面露光を行い、前記レジスト層のうちの露光部を除去して非露光部を残し、基板全面に絶縁層を形成し、この絶縁層上に導電層を形成し、前記レジスト層の非露光部を、その上方に形成された各層とともに除去し、残った導電層を引出電極とすることを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (2)：

H01J 9/02 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-190034
  
• 電界放出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-276233   Applicant：双葉電子工業株式会社
• 特開平3-071529