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J-GLOBAL ID：200903021378030067
アルミニウム合金スパッタリングタ-ゲット材料
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小谷 悦司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998374003
Publication number (International publication number)：2000199054
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 スパッタリングに際してスプラッシュの発生が起こらず、また液晶ディスプレイなどの電極に好適な低電気抵抗率の電極膜形成用として好適で、さらにスパッタリングに際して組成の経時変化が少なく、成膜した電極薄膜の面内組成ばらつきが抑えられたAl合金スパッタリングターゲット材料を提供すること。【解決手段】 アルミニウムマトリックス相と、アルミニウムと合金元素の金属間化合物相とからなるアルミニウム合金スパッタリング材料において、アルミニウムマトリックス相同士の結晶粒界、当該金属間化合物相同士の境界、及びアルミニウムマトリックス相と当該金属間化合物相の境界に層厚が0.1ミクロン以上の酸化物層を存在させず、当該アルミニウムマトリックス相の平均結晶粒径を5ミクロン以下とし、当該金属間化合物相の平均結晶粒径を3ミクロン以下とする。
Claim (excerpt)：
アルミニウムマトリックス相と、アルミニウムと合金元素の金属間化合物相とからなるアルミニウム合金スパッタリング材料において、アルミニウムマトリックス相同士の結晶粒界、当該金属間化合物相同士の境界、及びアルミニウムマトリックス相と当該金属間化合物相の境界に層厚が0.1ミクロン以上の酸化物層が存在せず、当該アルミニウムマトリックス相の平均結晶粒径が5ミクロン以下であり、当該金属間化合物相の平均結晶粒径が3ミクロン以下であることを特徴とするアルミニウム合金スパッタリングターゲット材料。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/34 A
, C22C 21/00 A
4K029BA03
, 4K029BA23
, 4K029CA05
, 4K029DC02
, 4K029DC04
