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J-GLOBAL ID：200903021385273102

メタルプラグの埋め込み不良検出方法及び検出装置

Inventor： 井上 肇 ,  前田 圭一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 田治米 登 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993294651
Publication number (International publication number)：1995130818
Application date： Oct. 28, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 熱伝導率が高いアルミニウム系金属からなるメタルプラグに対しても、短時間に容易に非破壊で埋め込み不良を検出し、メタルプラグのナンバーバリア的な評価を可能とする。【構成】 配線層1a、1bと絶縁層2からなる積層基板の該絶縁層2に設けられた開孔部にメタルを埋め込むことにより形成されたメタルプラグ5a、5bの埋め込み不良検出方法において、第1のメタルプラグ5aに加熱用レーザL1を照射すると共に該第1のメタルプラグ5aと絶縁層2の下で配線層1aが連続している第2のメタルプラグ5bに検出用レーザL2を照射してその検出用レーザL2の反射光L3を受光し、その受光した反射光に基づいて第1のメタルプラグ5a又は第2のメタルプラグ5bの埋め込み不良を検出する。

Claim (excerpt)：

配線層と絶縁層からなる積層基板の該絶縁層に設けられた開孔部にメタルを埋め込むことにより形成されたメタルプラグの埋め込み不良検出方法において、第1のメタルプラグに加熱用レーザを照射すると共に該第1のメタルプラグと絶縁層下で配線層が連続している第2のメタルプラグに検出用レーザを照射してその検出用レーザの反射光を受光し、受光した反射光に基づいて第1のメタルプラグ又は第2のメタルプラグの埋め込み不良を検出することを特徴とする方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体ウエハーのボイド検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-013309   Applicant：アイシン精機株式会社
• 孔内の埋込み状態の検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-317153   Applicant：ソニー株式会社