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J-GLOBAL ID：200903021398545616

高電子移動度トランジスタ

Inventor：
舘野 泰範

About 舘野 泰範


Applicant, Patent owner：
富士通カンタムデバイス株式会社

About 富士通カンタムデバイス株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999076736
Publication number (International publication number)：2000269481
Application date： Mar. 19, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、高出力かつ高利得で高効率な動作を実現する高電子移動度トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】n型半導体層5aとノンドープ半導体層4aとからなる超格子構造を有する電子供給層を備えた高電子移動度トランジスタにおいて、n型半導体層5aはアルミニウム混晶比が0.2 〜0.3 の砒化アルミニウムガリウムで形成され、ノンドープ半導体層4aは砒化アルミニウムガリウムで形成されるとともに、該砒化アルミニウムガリウムのアルミニウム混晶比は直接遷移形から間接遷移形へ移行する臨界混晶比近傍とされたことを特徴とする高電子移動度トランジスタを提供する。
Claim (excerpt)：
n型半導体層とノンドープ半導体層とからなる超格子構造を有する電子供給層を備えた高電子移動度トランジスタにおいて、前記n型半導体層はアルミニウム混晶比が0.2 〜0.3 の砒化アルミニウムガリウムで形成され、前記ノンドープ半導体層は、砒化アルミニウムガリウムで形成されるとともに、該砒化アルミニウムガリウムのアルミニウム混晶比は直接遷移形から間接遷移形へ移行する臨界混晶比近傍とされたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
F-Term (19)：
5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GL15 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開昭60-028273
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-185478   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開昭60-167475
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Cited by examiner (4)
  • 特開昭60-028273
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-185478   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開昭60-167475
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